W66利来国际

W66利来国际“黑科技”：氮化镓

GaN作为第三代W66利来国际材料，其性质决定了将更适合4G乃至未来5G等技术的应用。从现在的市场状况来看，GaAs仍然是手机终端PA和LNA等的主流，而LDMOS则处于基站RF的霸主地位。但是，伴随着Si材料和GaAs材料在性能上逐步达到极限，W66利来国际预计GaNW66利来国际将会越来越多的应用在无线通信领域中。

从能带角度看三个W66利来国际材料时代

第三代W66利来国际材料是指Ⅲ族氮化物（如氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）等）、碳化硅、氧化物W66利来国际（如氧化锌（ZnO）、氧化镓（Ga2O3）、钙钛矿（CaTiO3）等）和金刚石等宽禁带W66利来国际材料。与前两代W66利来国际材料相比，第三代W66利来国际材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质，因此采用第三代W66利来国际材料制备的W66利来国际器件不仅能在更高的温度下稳定运行，而且在高电压、高频率状态下更为可靠，此外还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。

氮化镓（GaN）材料的发展潜力有多大？

氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基W66利来国际集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。

GaN氮化镓材料，主要适用于哪些领域

GaN器件是平面器件，与现有的SiW66利来国际工艺兼容性强，因此更容易与其他W66利来国际器件集成，进一步降低用户的使用门槛，并在不同应用领域展现它的属性和优势，很有可能彻底改变世界。

GaN氮化镓的4种封装解决方案

对于氮化镓产品的封装，主要有4种封装解决方案。 1. 晶体管封装，在其设计中包含一个或多个HEMT(High electron mobility transistor)； 2. 系统级封装(SiP)，同一包封体中封装不同功能的芯片； 3. 系统芯片封装(SoC)，将不同功能芯片通过晶圆级重构，在性能上更加突出； 4. 模块化封装，将多个功率封装个体集成在一个模块包中。