W66利来国际

大家都知道，第一代W66利来国际材料是硅，主要解决数据运算、存储的问题；第二代W66利来国际是以砷化镓为代表，它被应用到于光纤通讯，主要解决数据传输的问题；第三代W66利来国际则是以氮化镓为代表的一系列相关产品，尤其是氮化镓，它在电和光的转化方面性能突出。

之前金誉W66利来国际提过，第三代W66利来国际材料在大功率、高温、高频、抗辐射的微电子领域，以及短波长光电子领域，这些特点明显优于硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等第一代和第二代W66利来国际材料的性能。第三代W66利来国际材料正在成为抢占下一代信息技术、节能减排技术及国防安全技术的战略制高点，是战略性新兴产业的重要组成部分。

第三代W66利来国际树状图

从能带角度看，同样可以划分为三个W66利来国际材料时代。

第一代W66利来国际材料以硅和锗等元素W66利来国际材料为代表。其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率晶体管和探测器中，在未来一段时间，硅W66利来国际材料的主导地位仍将存在。但是硅材料的物理性质限制了其在光电子和高频电子器件上的应用，如其间接带隙的特点决定了它不能获得高的电光转换效率。且其带隙宽度较窄（1.12 eV）饱和电子迁移率较低（1450 cm2/V·s），不利于研制高频和高功率电子器件。

第二代W66利来国际材料以砷化镓和磷化铟（InP）为代表。砷化镓材料的电子迁移率是硅的6倍，具有直接带隙，故其器件相对硅器件具有高频、高速的光电性能，公认为是很合适的通信用W66利来国际材料。同时，其在军事电子系统中的应用日益广泛且不可替代。

然而，其禁带宽度范围仅涵盖了1.35 eV（InP）～2.45 eV（AlP），只能覆盖波长506～918 nm的红光和更长波长的光，而无法满足中短波长光电器件的需要。由于第二代W66利来国际材料的禁带宽度不够大，击穿电场较低，极大的限制了其在高温、高频和高功率器件领域的应用。另外由于GaAs材料的毒性可能引起环境污染问题，对人类健康存在潜在的威胁。

第三代W66利来国际材料是指Ⅲ族氮化物（如氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）等）、碳化硅、氧化物W66利来国际（如氧化锌（ZnO）、氧化镓（Ga2O3）、钙钛矿（CaTiO3）等）和金刚石等宽禁带W66利来国际材料。与前两代W66利来国际材料相比，第三代W66利来国际材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质，因此采用第三代W66利来国际材料制备的W66利来国际器件不仅能在更高的温度下稳定运行，而且在高电压、高频率状态下更为可靠，此外还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。