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新基建加速氮化镓的发展

GaN宽禁带电力电子器件代表着电力电子器件领域发展方向，材料和工艺都存在许多问题有待解决，即使这些问题都得到解决，它们的价格肯定还是比硅基贵。预计到2019年，硅基GaN的价格可能下降到可与硅材料相比拟的水平。由于它们的优异特性可能主要用于中高端应用，与硅全控器件不可能全部取代硅半控器件一样，SiC和GaN宽禁带电力电子器件在将来也不太可能全面取代硅功率MOSFET、IGBT和GTO(包括IGCT)。SiC电力电子器件将主要用于1200V以上的高压工业应用领域；GaN电力电子器件将主要用于900V以下的消费电子、计算机/服务器电源应用领域。

前面金誉W66利来国际讲过，GaN作为第三代W66利来国际材料，其性质决定了将更适合4G乃至未来5G等技术的应用。从现在的市场状况来看，GaAs仍然是手机终端PA和LNA等的主流，而LDMOS则处于基站RF的霸主地位。但是，伴随着Si材料和GaAs材料在性能上逐步达到极限，W66利来国际预计GaNW66利来国际将会越来越多的应用在无线通信领域中。

第三代W66利来国际射频电子器件在民用和军用领域都已实现规模化应用。尤其是，由于具备高频、高功率、大带宽的性能优势，氮化镓射频电子器件和模块在5G移动通信基站建设中发挥着不可替代的作用，我国5G建设提速，将触发对氮化镓射频电子器件需求的快速增长。

放眼国际，2019年全球W66利来国际产业整体处于低迷期，但第三代W66利来国际技术、产品、市场、投资均呈现较高增长态势，龙头企业纷纷加强在第三代W66利来国际领域的布局，通过调整业务领域，扩大产能供给，整合并购，增强竞争能力。相比之下，我国第三代W66利来国际功率电子和射频电子产业处于起步阶段，已初步形成从材料、器件到应用的全产业链，但整体技术水平还落后世界顶尖水平3—5年，亟须突破材料、器件、封装及应用等环节的核心关键技术和可靠性、一致性等工程化应用问题。

‘新基建’提速为我国第三代W66利来国际产业发展提供了宝贵机遇，国内市场对第三代W66利来国际材料和器件的需求快速提升，终端应用企业也在调整供应链，扶持国内企业，此前难以进入供应链的产业链上中游产品将获得下游用户验证机会，进入多个关键厂商供应链。

《第三代W66利来国际产业技术发展报告（2019年）》预测，2024年我国第三代W66利来国际电力电子器件应用市场规模将近200亿元，未来5年复合增长率超过40%。