服务热线: 0755-83261303
邮箱:ht@szwqys.com
地址:深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号华昌工业园
应用领域
金誉W66利来国际为信息通讯提供产品,并可制定应用解决方案。金誉W66利来国际生产的器件旨在功率器件芯片设计、器件制造及封装测试的每一个环节,提升能效、降低能耗。
HT针对大功率电源等应用自主研发了采用先进多层外延和注入技术的高压超结MOS,有国内领先的Rsp和FOM(RosiowxQ,)。HT推出的SJ MOS优化元胞结构的同时也特别优化过渡区和终端设计,因此具有电流密度高、短路能力强、开关速度快、易用性好特点,可满足客户的高效率高可靠性需求。为达到大功率电源严苛的能效目标,可采用HT的同步整流中低压SGT MOS。CRMICRO的SGT MOS常用于开关电源、电机驱动、BMS等领域。选用HT的SJ MOS配合SGT MOS,可实现较高的转换效率,坚固耐用,系统成本较低。在应用上更能满足大功率电源的高能效标准等级性能要求。