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金誉W66利来国际在接到客户咨询关于MOS管的时候，总会被问到一个问题：怎么选择合适的MOS管？关于这一个问题，金誉W66利来国际昨天针对这个问题，在电压、电流方面已经做出了部分解释，今天W66利来国际来看其他方面的影响。

确定N、P沟道的选择

选型之前W66利来国际要清楚MOS管的原理：MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。

MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型

由于制造工艺的原因，P沟的MOS管通常比N沟的MOS管具有更大的导通电阻，这意味着导通功耗会更大。这是选择时需要注意的地方。一般而言，如果是低边开关应用，使用N沟MOS管是首选，驱动方便，选择灵活。如果是高边开关应用，P沟MOS管驱动相对简单，但导通电阻相对较大，价格相对较高。N沟MOS管驱动比较复杂，一般需要额外的电源或者自动驱动。

确定热要求

散热要求方面设计人员必须考虑两种不同的情况：最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据，比如封装器件的W66利来国际结与环境之间的热阻，以及最大的结温。

器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积，即结温=最大环境温度（热阻×功率耗散）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散=I2×RDS(ON)。

由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑W66利来国际结/器件外壳及外壳/环境的热容量；即要求印刷电路板和封装不会立即升温。

确定开关性能

选择MOS管的最后一步是确定其开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。因为在每次开关时都要对这些电容充电，会在器件中产生开关损耗；MOS管的开关速度也因此被降低，器件效率随之下降；其中，栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。

为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)，进而推导出MOS管开关总功率：Psw=(EonEoff)×开关频率。

封装因素考量

不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率，需要考虑系统的散热条件和环境温度（如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素），基本原则就是在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。

小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，工程师在选择MOS管时，一定要依据电路设计需求及MOS管工作场所来选取合适的MOS管，从而获得最佳的产品设计体验。当然，在考虑性能的同时，成本也是选择的因素之一，只有高性价比的产品，才能让工程师设计的产品在品质与收益中达到平衡。